A TSMC az idei évre ígérte az első 7 nm-es node-jának elérhetőségét, és ezt az ígéretet gyakorlatilag be is tartották, ugyanis nemrég bejelentették, hogy megindult a tömeggyártás a CLN7FF jelzésű eljáráson. Ez a FinFET gyártástechnológia egyfajta gyors belépő a 7 nm-es világba, ugyanis nem használ még EUV litográfiát, helyette 193 nm-es hullámhosszú mély ultraibolyafényre épít, kiegészítve ezt argon-fluorid excimerlézerrel. Ennek az előnye, hogy az aktuális berendezések is bevethetők maradnak, viszont hátrány, hogy az egyes rétegeket többször, akár négyszer kell levilágítani az egymást kiegészítő maszkokkal, és ez nem tesz jót a költségeknek. Persze utóbbi szempontból az EUV sem lenne sokkal jobb opció, mivel ehhez meg pont új berendezések kellenének.
A TSMC elnöke elárulta, hogy jelenleg 18-nál is több dizájnt terveznek a partnereik a CLN7FF jelzésű eljárásra, és gyakorlatilag minden gyártanak majd rajta az általános lapkáktól a speciális áramkörökig. A vállalat szerint a kihozatal jó, bár nem számszerűsítették, hogy ez pontosan mit jelent.
A következő év során kezdődhet meg a tömeggyártás a CLN7FF+ jelzésű eljáráson, amely már ténylegesen EUV litográfiát fog használni. Ez az első 7 nm-es node-hoz 20%-kal jobb tranzisztorsűrűséget is lehetővé tesz, miközben 10%-kal javul az adott dizájn fogyasztása is. A háttérben már az 5 nm-es node is készül, amelynél a kísérleti gyártás már 2020-ban megkezdődhet.
