A Samsung nyilvánosságra hozta a legújabb, chipgyártásra vonatkozó útitervét, amelynek keretében prezentálták, hogy az elkövetkező négy évben milyen node-ok bevezetésén dolgoznak majd. A dél-koreai óriáscégre most mindenki figyel, hiszen elsőként tudtak 10 nm-es node-dal előállni, illetve a cég nagyon közel került ahhoz, hogy letaszítsa az Intelt a félvezetőgyártói trónról.
A bérgyártásra visszatérve azonban a cég az idei évben megkezdi a 14 nm-es LPU, a 10 nm-es LPU és a 8 nm-es LPP node-ok kísérleti gyártását, illetve az előző esztendőben bevezetett 28 nm-es FD-SOI node kiegészül az analóg és RF (Radio Frequency) áramkörök gyártásának lehetőségével. Az előbbi három FinFET node egyébként a korábbi megoldások továbbfejlesztései, még a 8 nm-es verzió is a 10 nm-es LPP-ből kialakított irány, amit azért kínál a Samsung, mert nem mindenki szeretne az aktuális gyártástechnológiáról EUV litográfiát használó node-ra ugrani, így be lehet tervezni még egy ArF, azaz argon-fluorid litográfiára építő lépcsőt.
Az izgalmak igazából a következő esztendőben jönnek. Innentől kezdve már csak EUV litográfiát használó FinFET node-ot kínál a cég. 2018-ban a 7 nm-es, míg 2019-ben a 6 és 5 nm-es opció kísérleti gyártása kerül előtérbe. Az FD-SOI szempontjából a 28 nm-es verzió 2018-ban kap eMRAM (embedded Magnetic Random Access Memory) gyártására vonatkozó lehetőséget és 2019-ben jön a 18 nm-es csíkszélesség. Ezzel a Samsung jelzi, hogy a GlobalFoundries mellett ők is szeretnék ezt a területet.
2020-ban a vállalat kiegészítené a 18 nm-es FD-SOI node-ot az analóg és RF (Radio Frequency) áramkörök, illetve az eMRAM gyártásának lehetőségével, míg a FinFET-et leváltja a GAAFET (Gate All Around FET) technológiát használó, 4 nm-es csíkszélességű node. Ezekben az esetekben is kísérleti gyártásról van szó a megjelölt években.
[+]
A Samsung az új node-ok mellett új tokozási technológiákon is dolgozik. A Fan-out opció elsődlegesen a mobil piacot célozza és az első generációs, egymásra épített tokozásokat a második generációs fejlesztésnél felváltja a SiP, vagyis az egymás mellé épített konstrukció. Ennél lényegesebb az I-Cube, azaz Interposer Cube néven emlegetett tokozási technológia, amely a Samsung saját elnevezése a 2.5D interposer megoldásokra. Az első generációs csomag a hagyományos szilícium interposer lapkára épít, de a második generációs során a cég ezt el akarja hagyni, és a helyére szilícium nélküli interposer kerülne, ami költséghatékonyabb gyártást eredményezne.
Az I-Cube fejlesztései elsődlegesen az AMD-nek fontosak, mert a friss adatok szerint a HBM2-vel kapcsolatos irányt a Samsunggal képzelik el. Ez azért lényeges a cégnek, mert a Samsung és a GlobalFoundries a Common Platform részeként sok technológiát megoszt egymással, így a hosszabb távú stratégia szempontjából jóval könnyebb a Samsung memóriáit használni, mint a Hynix megoldásaira építeni. Utóbbi memóriagyártó elsődlegesen az UMC 2.5D tokozási technológiájához igazítja a HBM2 memóriastackeket, ami több bérgyártó bevonását igényli, és ez bonyolult gyártási folyamatot eredményezett már a Fiji kódnevű GPU esetében, de opcionális alternatívaként választható a TSMC CoWoS tokozási technológiája, ahogy az Amkor és a GlobalFoundries közös tokozási megoldása is. Ugyanakkor a Vega 10 a GlobalFoundries 14 nm-es LPP node-ját használja, amely nem mellesleg rendkívül hasonló a Samsung saját 14 nm-es LPP node-jához, tehát az ehhez igazított I-Cube konstrukcióba sokkal jobban beilleszthető. Az pedig alapvetően nagy előny, ha a memóriagyártó nem csak magát a memóriát, hanem a teljes 2.5D implementációhoz szükséges összes komponenst fel tudja kínálni.
