A GlobalFoundries még az előző év őszén jelentette be, hogy kihagyják a 10 nm-es csíkszélességet és az aktuális 14 nm-es eljárásaikról rögtön 7 nm-re ugranak. Ebben nagy segítségükre van az IBM félvezetőgyártó részlegének felvásárlásával megszerzett technológiák, amelyek lényegében a most bejelentett 7 nm-es LP (Leading-Performance) node alapjait adták. Erre a harmadik generációs FinFET fejlesztésre épít az IBM is, hiszen a gyárak leválásával a gyártást még meg kell oldani valahol, és célszerű volt az üzemeket és a technológiát felvásárló GlobalFoundries partnere maradni.
A GlobalFoundries legfrissebb mérései szerint a 7 nm-es LP node-juk több mint 40%-kal jobb teljesítményt kínálhat a 14 nm-es LPP node-hoz képest, miközben az energiaigény több mint 60%-kal csökken, továbbá a tranzisztorsűrűség több mint a kétszeresére nő. A litográfia nagyrészt optikai alapú marad, de a kritikus rétegekhez EUV-kompatibilitást kínál a cég. A nagy teljesítményű dizájnokhoz való kiterjesztéssel a node az 5 GHz-es órajelre is lehetőséget ad, bár ez részben egy tervezéstől függő tényező is.
A bérgyártó a dizájncsomagokat már elérhetővé tette és várja a potenciális érdeklődőket. Az első 7 nm-es LP node-on készülő lapkák kísérleti gyártása a következő év első felében kezdődhet meg, míg a tömeggyártás az esztendő második felében indulhat. Elsőként az IBM és az AMD hozhat ilyen csíkszélességek készülő lapkákat a GlobalFoundries gyáraiból. A vállalat azt is bejelentette, hogy az EUV litográfiához szükséges eszközöket az idei évben telepítik, és ezeket várhatóan 2019-ben használatba is lehet venni.
A GlobalFoundries a fentiek mellett bejelentette az FX-7 TM dizájnplatformot is, amely a 7 nm-es node-ot kiegészíti különböző kiterjesztésekkel és tokozási technológiákkal, amivel a partnerek teljes megoldásokat kínálhatnak az egyes piaci területekre, gondolva itt az adatközpontokra, a gépi tanulásra, automotive üzletágra, illetve a vezetékes és vezeték nélküli kommunikációra.
