A Samsung bejelentette 70 nanométeres csíkszélességű gyártástechnológiával készült DRAM chipjét. Az 512 megabites DDR2 lapka nemcsak alkotóelemeinek méretezésében játszik úttörő szerepet az iparágban, hanem technológiai újításokat is tartalmaz: ilyen például a kondenzátorok (Metal-Insulator-Metal, MIM) és a tranzisztorok felépítésének (Sphere-shaped Recess Channel Array Transistor, S-RCAT) új módszere.
A Samsung 2002-ben mutatta be első olyan DRAM chipjeit, melyek csíkszélessége 1 mikron alá esett, ám ezek tömeggyártása csak 2004-ben indult be. Időközben bejelentették a 80 nm-es lapkákat is, melyek ez év második felében kerültek sorozatgyártásba. A 70 nm-es csíkszélességű DRAM-ok nagyjából egy év múlva, 2006 második felében kerülhetnek ki nagy tételben a Samsung üzeméből, mégpedig 512 Mbit, illetve 1 és 2 Gbit kapacitású változatokban. A kisebb csíkszélesség egyebek mellett az egy szilíciumszeletre eső kihozatal javulásában érezteti majd jótékony hatását.
A gyártó a jövő évben a memóriapiac további bővülésére számít, melynek motorja részben az új játékkonzolok és okostelefonok megjelenése lesz, részben az erőforrásigényes Windows Vista premierje.
