Jóllehet a technológia nem rendelkezik végtelen tartalékokkal, a gyártás fejlesztésével egyelőre megállíthatatlannak tűnik a flashmemóriák tárolókapacitásának folyamatos növekedése. A memóriaipar vezető gyártójaként jegyzett Samsung a héten jelentette be, hogy befejezte az első 30 nanométeres csíkszélességű flash IC-k fejlesztését, melyek az iparágban elsőként és eddig egyedüliként képesek 64 gigabitnyi (azaz 8 gigabájtnyi) adatot eltárolni – ez négyszer akkora mennyiség, mint ami a jelenleg sorozatgyártásban lévő legfejlettebb technológiával elérhető.
A 64 Gbit kapacitású multi-level cell (MLC) NAND flash chipekből felépített memóriakártyák teljes tárhelykapacitása a Samsung elképzelései szerint belátható időn belül elérheti a 128 gigabájtot (ehhez 16 IC-t kell felhasználni), míg a főképp prémiumkategóriás noteszgépeknél idővel a merevlemezek helyébe lépő Solid State Diskek (SSD-k) kapacitása az új IC-k felhasználásával elméletileg 512 gigabájtra nőhet.
A Samsung tervei szerint a 64 gigabites flash IC-k sorozatgyártása 2009-ben kezdődhet meg. A cég idén áprilisban helyezte üzembe az első 51 nanométeres gyártósorait, amelyek 8 gigabites single level cell (SLC) és 16 gigabites MLC chipeket készítenek. Ez volt a következő lépcsőfok a tavaly augusztusban beindított 60 nanométeres gyártás után, mely elsőként tette lehetővé 8 gigabites MLC chipek előállítását.
