A világ legnagyobb memóriagyártójaként jegyzett Samsung tegnap bejelentette, hogy legyártotta az első, 40 nanométeres csíkszélességgel készülő NAND flash memóriachip prototípusát. A 32 Gb kapacitású IC új, az eddigihez képest gyorsabb működést, mégis egyszerűbb felépítést lehetővé tevő, úgynevezett Charge Trap Flash (CTF) architektúrára épül, elsőként szakítva a Toshiba által 1989-ben bevezetett Floating Gate technológiájával.
Két éven belül piacon lehetnek
A gyártó bár csak 2008-ra ígéri az új eljárással készült chipek tömeges megjelenését, máris előrevetítette, hogy a technológia 30 vagy akár 20 nanométeres csíkszélességű gyártást is lehetővé tesz belátható időn belül, így akár 256 gigabites IC-k is előállíthatók lesznek a nem túl távoli jövőben. A most legyártott, 32 gigabites CTF NAND flash chipekre a Samsung közleménye szerint két éven belül akár 64 GB kapacitású memóriakártyák is épülhetnek majd, mindemellett az általános kapacitásnövekedés egészen biztosan hatással lesz a flash alapú memóriát tartalmazó összes termékkörre, beleértve a médialejátszókat, pendrive-okat, illetve a felfelé ívelő pályájuk kezdetén lévő Solid State Diskeket (SSD-k).
