Hirdetés

Szupergyors 3D NAND-ot ígér a kínai Yangtze

Az Xtacking architektúra trükkössen oldja meg a magas I/O teljesítményt.

A kínai Yangtze Memory Technologies nem tekinthető túlzottan ismert cégnek a nyugati területeken, de most biztosan megjegyzik a nevet a felhasználók, ugyanis a vállalat szupergyors 3D NAND-ot ígért. A cég szerint a manapság használt legjobb V-NAND megoldás maximum 1,4 Gbps-os I/O teljesítményt tud felmutatni, a többség pedig 1 Gbps környékén tanyázik, ami igazából nem számít rossznak, de a Yangtze Xtacking architektúrája állítólag képes a 3 Gbps-ra is, ami gyakorlatilag fejlett DRAM-okhoz mérhető tempó.

A gyártó koncepciója a flashmemória, illetve a CMOS logika szétválasztása. A mai V-NAND lapkák esetében az adattároláshoz szükséges memóriacellák, illetve a NAND logika – ideértve a címek dekódolását, valamint a különböző puffereket – ugyanazon a chipen foglalnak helyet, vagyis ugyanazon a gyártástechnológián is készülnek. A Yangtze ezt a formulát módosította úgy, hogy alapvetően két lapka kerül egymásra, az egyiken maguk a töltéscsapdát alkalmazó memóriacellák, míg a másikon a CMOS logika foglal helyet. Ezeket így nem is kell ugyanazon a gyártástechnológián készíteni, egyszerűen csak a 3D-s tokozás szempontjából kell figyelni a kompatibilitásra. További előny lehet, hogy a különálló lapkák következtében a flashmemória, illetve a CMOS logika egymástól némileg függetlenítve fejleszthető, vagyis felgyorsíthatja az új, gyorsabb és több adatot tároló megoldások tervezését.

A Yangtze a CMOS logikát a kínai XMC 180 nm-es node-ját fogja gyártani, míg a flashmemória esetében a kiválasztott gyártástechnológiát nem részletezték, ugyanakkor a CMOS logika leválasztásával a cellasűrűség javul, vagyis egységes node-on és ugyanakkora lapkaterületen belül több információ tárolása válik lehetségessé. A cég szerint emiatt a bonyolultabb, két lapkát igénylő gyártási folyamat nem feltétlenül lesz drágább – egységnyi kapacitáshoz viszonyítva.

A Yangtze jelenleg egy 64 cellarétegű, Xtacking architektúrát használó fejlesztésen dolgozik, amelynek a tömeggyártása a következő év során indulhat meg. A vállalat 3D NAND-ként utal a fejlesztésére, ami elsődlegesen a két lapka összetokozását hivatott kihangsúlyozni.

Azóta történt

Előzmények

Hirdetés