A Macronix IEDM (International Electron Devices Meeting) rendezvényen részletesebben bemutatta a két éve ígért SGVC, azaz single-gate vertical channel technológiát, amely extrém sűrűségű adattárolást tehet lehetővé a jövőben érkező 3D-s NAND flashmemóriák számára.

A mai 3D-s NAND opciók jellemzően GAA (Gate-All-Around), azaz nanohuzalos megoldások, amelyeknél függőleges az elrendezés. Ennek azonban van egy olyan hátránya, hogy nehéz skálázni, ugyanis az ONO (Oxid-Nitrid-Oxid) rétegek távolságára rendkívül érzékeny a struktúra. Ha ezek túl közel kerülnek egymáshoz, akkor számos negatív hatással kell számolni. Itt meghatározható egy bizonyos kritikus dimenzió, ami még elfogadható varianciát eredményez az eszközre vonatkozóan, minimalizálva ezzel a negatív hatásokat.

[+]

A Macronix megoldása szintén függőleges elrendezésű, de nem nanohuzalos, hanem egykapus vékonyréteg-tranzisztorokat használ, így kevésbé érzékeny a kritikus dimenzió varianciájára.

A vállalat a prezentációban egy MLC módban 128, míg TLC módban 192 gigabites SGVC 3D NAND flashmemóriát mutatott be, amely 16 cellaréteget használt. Ennek az adatsűrűsége MLC, illetve TLC mellett rendre 2,4 és 3,4 gigabit/mm² volt, ami tulajdonképpen felér a 48 cellarétegű 3D-s NAND lapkákéval, és ez jól jelzi a technológiában rejlő potenciált.

A Macronix azt is elárulta, hogy éppen egy 48 cellarétegű verziót terveznek, amivel a négyzetmilliméterenkénti 6 gigabit adatsűrűség is elérhető, így egy memórialapka 1 terabitnyi információt is képes lehet majd tárolni.