A Hynix a jelenleg is zajló Flash Memory Summit rendezvényen prezentálta a NAND flashmemóriákat érintő jövőképét, némileg átfutva persze az aktuális megoldásokon is. A cég megerősítette, hogy a V-NAND fejlesztéseik alapjaként továbbra is töltéscsapdát használnak, ami alapvetően iparági normának számít, hiszen a Samsung, illetve a Toshiba és SanDisket felvásárló Western Digital párosa is erre épít. Egyedül az Intel és a Micron használ lebegőkapus megközelítést, de a Micron részben azért bontja fel a szorosabb együttműködést a korábbi partnerével, hogy átálljanak töltéscsapdára. Ezzel az Intel marad az egyedüli cég, amely kitart a lebegőkapus megközelítés mellett, ugyanakkor a Hynix szerint ez szinte minden szempontból kedvezőtlenebb megoldás a töltéscsapdához viszonyítva, a V-NAND érában mindenképpen.
A fentiek persze nem számítanak meglepetésnek, a Hynix csupán megerősítette a korábbi döntésük helyességét, hiszen régebben ők is lebegőkapus megközelítést alkalmaztak, de ez a mai dizájnok mellett strukturális limitekbe ütközne. A lényeges fejlesztés a 4D NAND névre keresztelt elgondolás, ami gyakorlatilag abból áll, hogy a cég a CMOS logikát nem a cellák mellé, hanem alá helyezi majd el. Ez a PUC, azaz a Periphery Under Cell technológia, és olyan hatalmas újdonságnak azért nem számít, mivel a Micron és az Intel igen hasonló dizájnt használ a V-NAND érában, csak az említett vállalatok erre CuA (CMOS under Array) néven utalnak, de egyébként a Samsung is ilyen irányba fejleszt.
(forrás: Guru3D)
A 4D NAND tehát nem igazán viszi a negyedik dimenzióba a fejlesztést, a hangzatos és egyben nyilvánvalóan félrevezető megfogalmazásért a marketingosztály "dicsérhető". Ez is egy szakma – szokták mondani.
Túllépve az elnevezés okozta sokkon, a PUC technológia nyilvánvalóan hasznos, nem véletlenül tart ebbe az irányba az ipar. Pusztán a gyártás szempontjából ugyan egy picit bonyolultabb, de végeredményben egységnyi területre több memóriacella építhető, illetve összességében a gyártási költségek is csökkenthetők.
A Hynix az első 4D NAND-nak nevezett memórialapkájának mintáit az év végén kezdi el szállítani. Ez a V5-ös, azaz ötödik generációs, TLC-s, 512 gigabites fejlesztés 96 cellaréteget használ és 1,2 Gbps-os I/O teljesítményre lesz képes, ráadásul a 11,5 x 13 mm-es tokozása kifejezetten illeszkedik az ultramobil igényekhez. Később jön egy 1 terabites kapacitást kínáló verzió is, aminek a mintáit a következő esztendő első felében kezdi el szállítani a cég. Ebből olyan 16 x 20 mm-es, BGA tokozású chip is készül, amelyen belül 16 darab 1 terabites lapka bújhat meg, ami így 2 TB-os kapacitást biztosít az érdeklődő partnereknek, és ez akár 64 TB-os U.2-es eSSD-t is eredményezhet a megfelelő dizájn kialakítása esetén. Később, nagyjából egy év múlva jön a QLC-s opció is, szintén 1 terabites kapacitással, de erről még eléggé kevés adattal szolgált a cég.
A Hynix ötödik generációs V-NAND fejlesztése az elődhöz mérten 30%-nak nagyobb írási és 25%-kal nagyobb olvasási tempót, illetve 150%-kal jobb energiahatákonyságot biztosít.
Hosszabb távon már készül a hatodik generációs Hynix V-NAND, amely minimum 128 cellaréteget tartalmaz, és a vállalat szerint a töltéscsapda lehetőségei elvihetik az ipart 500 cellaréteg fölé is, de ez még nagyon a jövő zenéje.
