A Samsung bejelentette az első 7 nm-es LPP node-jának elérhetőségét, amelynek iparági szinten is komoly jelentősége van, hiszen az említett, FinFET gyártástechnológiát alkalmazó eljárás először használ EUV, azaz az extrém ultraibolya sugárzású litográfiát. Erre leginkább azért van szükség, mert a technológia folyamatos fejlődésével egyre kisebbek lesznek az áramkörök, így nehézkessé válik a szilíciumostyák feldolgozása. Már ma is igen sok trükköt kell bevetni a megbízható gyártás kialakítása érdekében, és a jelenleg használt litográfiai eljárások 7 nm-en a képességeik határára kerültek. Bár a TSMC kiadott még egy olyan 7 nm-es node-ot, amely az EUV-t nélkülözi, így a 193 nm-es hullámhosszú fénnyel történő többszöri átvilágítás ugyanazzal mintával, egymást kiegészítő maszkokkal még éppen belefér, de a tajvani bérgyártó is hozza az EUV-s 7 nm-es eljárását, vagyis látják, hogy a lehetőségek lényegében elfogytak.
Az EUV-t viszont jelenleg némi kettősség jellemzi. Elméletben a költségek csökkenését kellene hoznia, de a gyakorlatban gondot jelent, hogy a jelenlegi gépek nem üzemelnek túl jó hatásfokkal, és emellett még a hőtermelésük és a helyigényük is olyan nagy, hogy speciálisan kell kialakítani az adott üzem hűtését. Ezek miatt az EUV jelenleg a drágának számít, viszont hosszabb távon ez lesz a nyerő irány.
[+]
A Samsung a 7 nm-es LPP node-hoz ASML-től származó, Twinscan NXE:3400B EUVL rendszereket használ, amelyeket a hvaszongi Fab S3 üzembe telepítettek. A vállalat elmondta, hogy az EUV alkalmazásával a gyártáshoz szükséges maszkok száma 20%-kal csökkenthető. Az említett berendezések egyébként 280 wattos fényforrással dolgoznak, továbbá az is kiderült, hogy az EUV egyelőre csak a kritikus rétegekhez lesz alkalmazva. A Samsung egyelőre napi 1500 wafert képes feldolgozni.
A dél-koreai óriáscég arról nem beszélt, hogy a 7 nm-es LPP node-on milyen lapkákat fognak gyártani. Általánosan az ultramobil, illetve a HPC-piacra szánt megoldások lettek kiemelve, de ez egyáltalán nem meglepő. Vélhetően az egyik konkrét lapka egy fejlesztés alatt álló Exynos SoC lesz.
