A Samsung bejelentette, hogy tömeges szinten is képesek gyártani a 28 nm-es FD-SOI node-ra tervezett, beágyazott MRAM fejlesztésüket.

Mint ismeretes az MRAM (Magnetoresistance Random Access Memory) technológia mágneses elven működő rétegeket alkalmaz, amelyek a polarizáció módosításával képesek az adattárolásra. A rétegek párosával értendőek, vagyis az egy bitet tároló cellákon belül kettő található ezekből. Az egyik réteg polaritása állandó, míg a másik rétegé áram segítségével megváltoztatható. Ennek megfelelően a cellán belül két állapot állhat fent, azaz a rétegek polaritása vagy megegyezik, vagy eltér. Ez a különbség teszi lehetővé az információk tárolását. Az MRAM jelenleg az egyik legnagyobb ígéret az egyre több problémával küszködő flashmemóriák leváltására, és ami kifejezetten kedvező az előbbi megoldásokkal szemben, hogy az MRAM cellák nem igazán fáradnak el, vagyis elméletben nincs maximalizálva az írási ciklusok száma. A gyakorlatban ugyanakkor más a helyzet, de annyira magas a terhelhetőség, hogy ezzel az értékkel felesleges foglalkozni.

A Samsung számára az MRAM elsődlegesen az írási sebesség tekintetében érdekes, mivel az adatok rögzítése előtt nem szükséges törlési ciklust alkalmazni, ami lényeges előnynek számít.

A beágyazott MRAM-ot a vállalat elsődlegesen mikrovezérlőkbe, illetve az IoT piacra szánt lapkákba szánja. Ez elsődlegesen a kapacitásra vonatkozó korlátokból ered, de a Samsung az idei évben készítene egy 1 gigabites eMRAM tesztchipet is, amivel bővíteni lehetnek a célzott piacokat. A jövőben a 18 nm-es FD-SOI node, illetve a FinFET struktúra is alkalmazásra kerül, de ezekről konkrétum még nincs.