A Samsung egy ideje már nagyon kinézte magának a félvezetőgyártói trónt, de a TSMC kemény falatnak ígérkezik, ellenben apró győzelemként fogható fel, hogy minden riválisnál korábban vezették be a 3 nanométeres node-jukon a GAAFET tranzisztorstruktúrát. Ez azért kevés az üdvösséghez, inkább csak azt jelzi előre, hogy jó az irány, de jóval több kell a piacvezetői pozíció megszerzéséhez.
A Samsung Foundry Forum 2022 alkalmával a vállalat beszélt a terveiről, amelyek alapján a tömeggyártás megkezdését 2025-re taksálják a 2 nanométeres, 2027-re pedig az 1,4 nanométeres eljárásokon. Ezek is EUV-s GAAFET node-ok lesznek, hiszen ilyen csíkszélességen a modernebb litográfia és felépítés alkalmazása elkerülhetetlen.
A valódi kérdés azonban nem ez, hanem a gyártókapacitás, mert a Samsung a legmodernebb eljárásokat tekintve már most is jól áll, de nem tudnak akkora mennyiségben gyártani, mint a TSMC. Annak érdekében, hogy ez a helyzet javuljon, a firma bérgyártó üzletága 2027-ig minimum megháromszorozza modern node-okhoz köthető gyártókapacitást, ami teret ad annak, hogy kibővítsék az ügyfélkört, és ezen a ponton a cég arra számít, hogy 2027-re a legyártott lapkák többsége már nem az ultramobil szintet fogja célozni. Mindez nagyon fontos lépés lenne, mert így a HPC-piacra vonatkozó, illetve az autóipari igények jelentős fókuszt kapnak, ami kritikus tényező egy bérgyártó számára.
A Samsung a fentiek mellett a tokozási technológiákra is koncentrál, így a 3D-s tokozásra tervezett X-Cube eljárásnak 2024-ben érkezik az egységnyi területen jóval több összeköttetést biztosító micro-bump verziója, 2026-ban pedig a bump-less X-Cube is elérhető lesz.
