A TSMC hivatalosan is közölt némi adatot a hosszú távú útitervből, melyről korábban csak a 20 nm-es gyártástechnológia volt ismert, míg a többit inkább csak találgatni lehetett. Persze a FinFET tranzisztorokra való áttérésről már beszélt a vállalat, így a friss bejelentés során gyakorlatilag senkit sem ért meglepetés. A tajvani bérgyártó 20 nm után 16, míg azután 10 nm-re vált, és az utóbbi két gyártástechnológia esetében már a FinFET tranzisztorokra építenek.
A 16 és 10 nm-es gyártástechnológiából is csak egy node készül majd, ahogy az aktuálisan fejlesztés alatt álló 20 nm-esből is. Ez igazából logikus lépés, ugyanis 20 nm alatt már egyre kevesebb lehetőség adódik a jelentősen eltérő node-ok kialakítására. Ezzel kapcsolatban más bérgyártó is hasonló véleményen van.
[+]
A TSMC a 16 nm-es gyártástechnológia egyszerűbb áramköröket tartalmazó tesztlapkáit a következő év első felében készíti el. A kísérleti gyártás szintén megkezdődik 2013-ban, de csak az esztendő végén. Az eddig adatok szerint a TSMC egy ARMv8-as magokat használó tesztlapkát fog használni, amit később több dizájn is kiegészít majd. A tömeggyártás leghamarabb két év múlva kezdődhet meg TSMC műhelyében, így 2015-ben kerülhetnek piacra az első 16 nm-es lapkák.
A 10 nm-es node esetében a kísérleti gyártás 2016-ban esedékes, de ez természetesen változhat, így erről a TSMC nem is beszélt bővebben. Korábban azonban azt nyilatkozták, hogy a 10 nm-es gyártástechnológia bevezetése 2018-ban valószínű.
