Az Elpida és a Spansion bejelentette, hogy egy közös projekt részeként elkészült a világ első töltéscsapdát (Charge Trapping) alkalmazó NAND flashmemóriája. A nem felejtő memóriák alapja, hogy a cellában tárolt információt meg kell tartani a feszültség megszűnése után. A problémát az elektronok jelentik, hiszen ha ezeket helyhez kötnénk, akkor az áramvezetés képessége megszűnne. A jelenlegi NAND flash generáció a lebegőkaput (Floating Gate) alkalmazza, ami lényegében egy ki-be kapcsolható elektroncsapdaként fogható fel, így a tárolt adat nem vész el.
Ez a rendszer nagyon jól működik, de a vállalatok a nagyobb teljesítményű termékek előállítása érdekében folyamatosan keresik a jobb megoldásokat egy-egy problémára. Az Elpida és a Spansion a lebegőkaput töltéscsapdára cseréli. A technológia célja lényegében ugyanaz, de a megvalósításhoz szükséges cellastruktúra és a sebesség szempontjából az új megoldás skálázhatóbbnak mondható. Az említett cégek egy 4 gigabites SLC NAND lapkát állítottak elő, mely 1,8 voltos feszültségen üzemel. A termékmintát az érdeklődők a negyedik negyedévtől rendelhetik, míg a tömeggyártás 2011 elején kezdődhet meg.
Sajnos a teljesítményről konkrét információ nem látott napvilágot, de az Elpida és a Spansion elmondta, hogy az eddig alkalmazott termékekhez viszonyítva, egyszerűbb cellastruktúra mellett nagyobb teljesítmény érhető el. A 4 gigabites lapka tényleges bemutatkozása után 1 és 2 gigabites chipek is érkeznek majd, sőt mindkét cég fejleszti a 3 voltos feszültségen üzemelő memóriákat, szintén 1, 2 és 4 gigabites kapacitással.
