A SanDisk a terveknek megfelelően még az előző év végén megkezdte a 19 nm-es gyártási eljárásra épülő NAND flash chipek gyártását. A termékek egyelőre nem jelentenek túl nagy bevételt a vállalat számára, de a termelés fokozatosan növekszik, így az idei évben már nagy szerepet játszanak majd a cég növekedésében.
Sanjay Mehrotra, a vállalat elnök-vezérigazgatója nagy reményeket fűz az új 19 nm-es eljáráshoz, melyen jelenleg MLC és TLC NAND flash lapkák készülnek. Előbbi cellánként kettő, míg utóbbi három bitet tárol. A SanDisk vezetője szerint a NAND flash chipek skálázása a gyártástechnológia fejlődésével egyre nehezebbé válik, így egyre kisebb anyagi előnye van a csíkszélesség csökkentésének. Itt érdemes megjegyezni, hogy a papíron jobb gyártástechnológia főleg anyagilag jelent előrelépést, mivel technológiai szempontból helyenként hátrányos. Régóta ismert, hogy a 20 nm-es osztályú csíkszélesség esetében, illetve alatta a NAND flash memóriákban drámaian megnőhet a bithibák száma, ami jelentősen korlátozza a sebességet és a megbízhatóságot. Ez ellen a gyártók ECC-vel próbálnak védekezni, ami a működés szempontjából hatásos, de a bithibák szükségszerű korrigálásával gyorsabban válhat az adott cella írhatatlanná.
A SanDisk ecsetelte, hogy a MLC és a TLC NAND flash lapkák sem terhelhetők egységesen. Az előbbi megoldás egyetlen cellája hozzávetőleg ötezer írást visel el, míg az utóbbi ennek csak az ötödét, vagyis nagyjából ezret. Éppen ezért a vállalati szférába szánt SSD-k esetében a gyártó egyáltalán nem számol a TLC-vel, ám az olcsóbb SSD-k mellett ez előnyösebb lehet, hiszen egyetlen cella (kerekítve) 33%-kal több adatot képes tárolni. A fogyasztói szegmens tipikusan az olcsó, nagy kapacitást kínáló meghajtókat keresi, illetve fogja keresni a jövőben, és a MLC NAND flash lapkák ezekhez a tömeges igényekhez nem elég jók.
A SanDisk egyik legnagyobb üzlete egyébként a memóriakártyák piaca, ahova a TLC NAND flash lapkák nagyon is ideálisak, továbbá a cellánkénti három bit tárolása a pendrive-ok esetében is előnyös lehet.
