A Samsung bejelentette, hogy megkezdték a tömeggyártást a 10 nm-es node-on, ezen belül is az LPE verzión, amely technikai értelemben az első generációs FinFET opciónak tekinthető ezen a csíkszélességen. A vállalat szerint az új node a 14 nm-es opcióhoz képest elméletben 30%-kal hatékonyabb helykihasználást, 27%-kal nagyobb teljesítményt és 40%-kal alacsonyabb fogyasztást tesz lehetővé.

A 10 nm-es LPE node-ot használó megrendelőket a Samsung nem hozta nyilvánosságra, de valószínűleg a saját lapkájukon kívül a Qualcomm új generációs rendszerchipjét gyártják, amiről éppen az előző héten érkeztek híresztelések.

Valószínű, hogy a 10 nm-es LPE node helyett ismét sokan megvárják a kiforrottabb LPP node-ot, amely a következő év második felében lesz elérhető. A Samsung szerint ugyanakkor az LPE node-ot használó megrendelők lapkáira a következő esztendő elején megérkeznek az első digitális eszközök.