A Samsung a tegnapi napon a HBM előnyeit taglalta a Hynix előadásával párhuzamosan, de a vállalat a Hot Chips alkalmával bemutatta, hogy miképp képzelik el a GDDR5 utáni érát. A cég a fejlesztést GDDR6 néven jegyzi, és vannak olyan pontok, amiben hasonlít a Micron által bemutatott GDDR5X-re, de nem kevés a különbség sem.
Elsődlegesen érdemes leírni, hogy a Micron GDDR5X-et egyfajta köztes lépcsőnek tervezte, vagyis azzal, hogy a GDDR5 specifikációra építették fel, illetve ezt egészítették ki, megtartották a kompatibilitást a GDDR5-höz tervezett memóriavezérlőkkel. A GDDR5X emiatt két üzemmódot tartalmaz, egyet a kompatibilitásért (DDR), egyet pedig a sebességért (QDR). Mindkét üzemmódban két valós és két műveleti frekvencia aktív, amelyek váltják egymást, ugyanakkor a DDR módban összesen négy, míg QDR módban összesen nyolc adatszó mozgatható társított órajelenként. Ez nem rossz koncepció, de nyilván vannak gyenge pontjai, hiszen egy meglévő alap kiegészítéséről van szó.
[+]
A Samsung a GDDR6-tal új alapot tervez, így ez a memória egyáltalán nem lesz kompatibilis a GDDR5-höz tervezett memóriavezérlőkkel. A Samsung ezt a szabványt úgy tervezi, hogy ne két-két darab, egymást váltó, valós és műveleti frekvencia legyen aktív, hanem egy. Ezzel már jelentősen javult a lehetséges szabvány letisztultsága. Ugyanakkor ilyen formában műveleti frekvenciának jóval nagyobbnak kell lennie a valós frekvenciánál. Amíg tehát a GDDR5 és GDDR5X esetében kétszeres a különbség, addig a GDDR6-nál már négyszeres. Ahhoz, hogy ezt elérjék teljesen megváltoztatták a parancsok és a címzést kezelését. Amíg a GDDR5 és GDDR5X szabványoknál csupán a címzés működött a valós órajel dupláján, addig a GDDR6-nál már a parancsok kezelése is dupla frekvencián történik. Ennek a járulékos előnye, hogy a parancsok és a címzést kezelése szinkronban van, így nem kell különválasztani ezt a két lépcsőt a vezérlés szempontjából, ami csökkenti a rendszer implementálásának bonyolultságát.
A fentiek mellett a GDDR6 a belső adatbuszán órajelenként 16 bitet utaztathat a memóriacellákból az IO-pufferbe, vagyis 16n prefetch megoldásnak tekinthető, és ez állandó így van, tehát nincs 8n-re kényszeríthető mód, ahogy a GDDR5X-nél.
A Samsung szerint ezekkel a fejlesztésekkel tulajdonképpen el tudják érni a mai GDDR5-ös lapkák sebességének dupláját, vagyis a 14-16 Gbps-ot. Ez effektíve 14-16 GHz-es órajelet jelent, miközben az üzemfeszültség 1,35 V. A technológia ugyanakkor egyértelműen nem versenyképes a HBM-mel, mivel a fogyasztás tekintetében nagyságrendekkel le lesz maradva, de a dél-koreai óriáscég szerint még a tervezett 2020-as megjelenésre is maradnak olyan árérzékeny területek, ahol inkább az olcsót választják a gyártók a fejlett rendszer helyett, és ebben minden bizonnyal igaza van a cégnek. A első GDDR6-os mintákat 2018-ban szállíthatják, legalábbis a jelenlegi tervek szerint.
