A Samsung már korábban bejelentette, hogy tervezik a 3 nm-es node-jukat, amelynél a FinFET tranzisztorstruktúrát a GAAFET fogja váltani. Az utóbbi, Gate All Around FET, azaz nanohuzalos technológiára a skálázhatóság megőrzése miatt van szükség, mivel a 3 nm-es csíkszélességen a FinFET működése már nem optimális. Azóta tervezhetők is a 3 nm-es dizájnok, de mára kiderült, hogy az eredeti tervekhez képest csúszni fog a gyártástechnológia bevezetése.
A SemiAnalysis cikke szerint a Samsung 3 nm-es node-ja a 2023-as esztendő vége felé lehet elérhető, tömeggyártás szintjén viszont leginkább 2024-es céldátummal kell számolni. Mindezt Dr. Chidi Chidambaram, a Qualcomm gyártástechnológiai implementációkért felelős alelnökének állításaira alapozzák, aki ugyan nem kötődik a Samsunghoz, de elég sok információja lehet a dél-koreai óriáscég útitervéről.
Ezzel a Samsung 3 nm-es eljárása mondhatni bőven a TSMC 3 nm-es node-ja után fog megjelenni, de fontos kiemelni, hogy a tajvani bérgyártó ezen a csíkszélessége még mindig FinFET tranzisztorstruktúrát alkalmaz, és majd csak 2 nm-en váltanak GAAFET-re, tehát a nanométer elé írt szám szokás szerint elég csalóka, jelen esetben különösen.
