Az előző év során Kioxia névre váltó Toshiba Memory Corporation érdekes kijelentést tett az International Electron Devices Meeting (IEDM) rendezvényen. A cég természetesen beszélt a saját NAND flash technológiáiról, kiemelve itt a BiCS 3D NAND implementációt, illetve az XL-Flash konstrukciót, de külön fejezetet szenteltek az úgynevezett SCM technológiáknak.
Ilyen néven valószínűleg ez nem hangzik ismerősen, de a storage-class memory rövidítéséről van szó, ami egy extra átmenetnem tekinthető a manapság elterjedt NAND flash adattárolók, illetve a DRAM memóriák között. Ebbe a kategóriába sorolható például az Intel és a Micron által közösen fejlesztett 3D XPoint, amit az előbbi vállalat eléggé használ, míg utóbbi inkább ódzkodik tőle, így túl sok ilyen termékkel nem árasztották el a piacot.
A Kioxia a 3D XPointot külön nem emelte ki, csupán általánosságban beszéltek az SCM technológiáról, amelyek fő előnye a NAND flash megoldásokhoz képest, hogy bitszintű eléréssel dolgoznak, így tudnak jobb elérési időt elérni a NAND flash opciókhoz viszonyítva, amelyek lap- és blokkszintű elérést támogatnak. Ennek a módszernek azonban van egy elég nagy hátránya, ugyanis nehezebben skálázható maga az alaptechnológia a rétegek hozzáadásával. Utóbbi a NAND flash esetében eléggé bevált koncepció, lassan 100 rétegnél is több van a 3D NAND fejlesztésekben, miközben úgy néz ki, hogy ez nem okoz különösebb gondot a gyártás tekintetében, az egy bitre levetített költség pedig a rétegek hozzáadásával fokozatosan csökken.
(forrás: AnandTech) [+]
Az SCM technológiák esetében bonyolultabb a helyzet, ugyanis a bitszintű adatelérés biztosítása fokozatosan megkövetelné a komplexitás növelését, ahogy egyre több rétegre épülnének ezek a memóriák. A Kioxia számításai szerint nagyjából négy réteg az a szint, ami még kedvező a gyártás tekintetében, majd utána a egy bitre levetített költségek elkezdenek nőni a rétegek hozzáadása mellett. Ez a skálázhatóságot erősen behatárolja, így a ma még egy rétegre épülő SCM megoldások jövője nem túl biztató, emiatt sem nagyon érdeklődik az irány után a Kioxia, illetve valószínűleg ez az oka annak, amiért a Micron sem nagyon erőlteti a 3D XPointot, bizonyos mennyiségű réteg hozzáadása után egyszerűen vállalhatatlanul drága lesz.
Mindez egyébként nem azt jelenti, hogy a jelenlegi SCM technológiák haszontalanok, hiszen így is optimális köztes lépcsők maradhatnak a DRAM és a NAND flash között, viszont számolni kell azzal, hogy a skálázhatósági nehézségek miatt ennél többet nem igazán tudnak majd felmutatni.
