Az Intel és a Micron nagyon sokáig közösen fejlesztette a NAND flash lapkáik alapjául szolgáló technológiát, de már különvált a két cég, ami annak is köszönhető, hogy nem mindenben értettek egyet a jövőt illetően. A NAND flash fejlesztések esetében ugyanis az Intel ragaszkodott a lebegőkapus megközelítéshez, miközben a konkurensek már töltéscsapdát használnak, amely szerintük szinte minden szempontból jobb alternatíva. A Micron is inkább a változás pártján van, de amíg közös volt a fejlesztés, addig nem tudták kiharcolni az akaratukat.
Most azonban a cég bejelentette, hogy elkészültek a negyedik generációs 3D NAND technológiájukkal, amely teljesen saját fejlesztés, az Intel egyáltalán nem vett részt benne. Ennek a rendszernek a fő célja a lebegőkapus dizájnról való eltávolodás, amelynek a helyére az RG (replacement gate) architektúra került. Ennek pontos működéséről viszonylag keveset tudni, de az biztos, hogy a lebegőkapus megoldás tipikus problémáit kezeli, így a Micron szerint kisebb lapkaméret és olcsóbb gyárthatóság mellett javul a teljesítmény, illetve hatékonyabban lehet majd átállni az új generációs node-okra is.
A vállalat szerint már el is készült egy negyedik generációs 3D NAND lapka terve, amely 128 darab cellaréteggel dolgozik a CMOS logika felett. Jelenleg a gyártás előkészítése zajlik, amire csak jövőre fog sor kerülni. Ez a fejlesztés egyébként még nem a tömegpiacra készül, oda egy 96 cellarétegű, korábban bejelentett 3D NAND flash lapka készül, még a régi architektúrát használva, de hosszabb távon a Micron átáll a teljesen saját fejlesztésű rendszerére.
