Az Micron és az Intel közös sajtótájékoztatón jelentette be a 3D XPoint memóriát, amely az eddigi leírások szerint a rezisztív memóriák családjába sorolható, így technikailag a DRAM és a NAND technológiák közötti rést tömheti be. Hasonló koncepciót már a Crossbar is bejelentett méghozzá RRAM (vagy ReRAM) jelzéssel, de a Samsung és a SanDisk is fejleszti a saját megoldását.

A 3D XPoint a közzétett technikai leírása alapján nem tranzisztorokat használ az információtárolásra, a rendszer memóriacellái ugyanis rétegek közé vannak szorítva és ezek feszültség hatására megváltoztatják a rétegek közé szorított anyag szerkezetét, amely így zárhatja az áramkört. Sajnos az érintettek nem részletezték, hogy pontosan milyen anyagokat használnak, így csak ezzel a nagyon felületes leírással tudunk szolgálni. A 3D XPoint memória alapvető előnye, hogy a cellákban tárolt egy bitnyi információ egyenként írható, illetve olvasható.

A 3D XPoint elérési ideje nanoszekundumos szinten mozog. Pontos adat erre vonatkozóan nincs, de nagyjából az aktuális DRAM technológiákkal elérhető késleltetés kétszeresével lehet számolni. Az adattárolás sűrűsége a DRAM lapkákhoz viszonyítva szintén nagyon jó, mivel egy hasonló kiterjedésű 3D XPoint lapkára hozzávetőleg 8-10-szer több adat fér. Mindemellett a 3D XPoint rendszer egy nem felejtő memória.

A NAND flash lapkákhoz viszonyítva a két vállalat ezerszeres strapabírást és ezerszer nagyobb tempót adott meg. Sajnos azt nem lehet tudni, hogy ezek az értékek mely NAND megoldáshoz lettek viszonyítva, így eléggé a levegőben lógnak, de még ha a legrosszabb opcióról beszélünk, akkor is számottevő az előrelépés.

Az első 3D XPoint memóriák várhatóan a következő évben érkeznek, de a termékmintákat már idén elkezdik szállítani. Elsődlegesen az adatközpontok lesznek megcélozva, hiszen a lapkák ára a kezdeti szakaszban meglehetősen drága lesz. A rendszer persze idővel a végfelhasználói szintre is leszivároghat, de ez még sok-sok évet vehet igénybe.