A Toshiba bejelentette, hogy elkészültek a 3D TSV (through-silicon VIA – Vertical Interconnect Access) stacking technológiát használó, Toogle DDR interfészt támogató NAND megoldásuk prototípusával, amely összesen 16 darab NAND flash lapka tokozható egymásra.
Az iparág első ilyen fejlesztése leginkább abból a szempontból érdekes, hogy a koncepciós alapok alacsony fogyasztás mellett képesek magas adatátviteli és IOPS teljesítményt biztosítani, miközben még a késleltetés is csökken. A rendkívül jó IOPS/watt mutató miatt pedig ez a memória nagyon jó alapja lehet a nagy teljesítményű, nagyvállalati SSD-knek, ráadásul ezek tárkapacitása is komoly lehet.
A Toshiba kétféle prototípust készített. Az egyiken 8 darab NAND flash lapka található és 128 GB-os kapacitást kínál, míg a másik már képes 256 GB-nyi adatot is tárolni, de ehhez 16 darab NAND flash lapka egymásra tokozására volt szükség. Mindkét memória 14 x 18 mm-es kiterjedésű, de a magasság a kisebbik modellen 1,35 mm, míg a nagyobbikon 1,9 mm.
A Toshiba az új fejlesztésről a következő héten esedékes Flash Memory Summit 2015 rendezvényen beszél részletesebben.
