Hirdetés

12 nm-es FD-SOI node-ot hoz a GlobalFoundries

Az ultramobil piac nagy érdeklődéssel figyelheti az új gyártástechnológiát.

A GlobalFoundries a megszokott bulk, illetve az új FinFET node-ok mellett már egy ideje kínál alternatív irányt a partnereknek, ugyanis létezik FD-SOI struktúrájú 22 nm-es node-juk. A SOI (szilícium a szigetelőkön) természetesen nem ismeretlen a vállalat és lényegében az iparág számára sem, hiszen korábban már használták a technológiát, de leginkább a kevésbé hatékony PD (Partially Depleted) megvalósítást. Ennek előnyei mellett van egy nagy hátránya, mégpedig a lebegőtest effektus, amikor a félvezető és a szigetelő között töltés keletkezik, és erre a dizájn kialakításánál ügyelni kell, de a csíkszélesség csökkenésével ez egyre nehezebb. Az jobbnak tekinthető FD (Fully Depleted) opció ettől a problémától mentes, viszont a megfelelő gyártástechnológia kialakítása nehezebb.

A GlobalFoundries korábban az STMicroelectronics technológiáját használta, de az új 12 nm-es node már saját fejlesztés lesz. A vállalat szerint az ultramobil irány erősödésével az FD-SOI iránti kereslet csak nőni fog, mivel ez rendszer pont azt teszi lehetővé, amire szükség van az említett területen, vagyis az adott lapka a kívánt órajelet alacsony feszültségen is elérheti, azaz hatékonyabbá válik a fogyasztás és a teljesítmény szempontjából.

A 22 nm-es FDX node-ot igen sikeresnek ítélte a vállalat, mivel kifejezetten olcsón megközelítette a 14 nm-es LPP node-hoz hasonló mutatókat. Ez az egészen alacsony fogyasztású lapkák piacán kritikus fontosságú volt, mivel nincs túl nagy mozgástér a gyártási költségek tekintetében, és egészen biztos, hogy a FinFET node-okra való átállás nem fér bele. Ugyanakkor a 22 nm-es FDX node-nak is megvannak a korlátjai, így a GlobalFoundries előállt a továbbfejlesztéssel, ezen belül is a 12 nm-es FDX node-dal. A vállalat szerint az új megoldásuk a 10 nm-es FinFET node-ok teljesítményére lesz képes, miközben fogyasztás jobb lesz a 14/16 nm-es FinFET opcióknál, és persze a gyártási költségek még most is inkább a 28 nm-es node-ok felé közelítenek majd, mintsem a FinFET megoldások felé.

Tipikusan ilyen gyártástechnológiát keresnek a cégek az 5G-s modemek vezérlőinek, vagy például az IoT-piacra szánt rendszerchipeknek. Persze az új node még nincs kész, mivel a kísérleti gyártás 2019-es esztendő első felében kezdődhet meg, de a fejlesztés már aktívan zajlik a partnerek és érdeklődők bevonása mellett.

Azóta történt

Előzmények

Hirdetés