Hirdetés
-
No Man's Sky - Befutott az Adrift frissítés
gp Ahogy minden korábbi update, úgy a mostani újdonságok is természetesen ingyenesek.
-
A marketingen segít spórolni az AI
it A Klarna is használ már AI-t, ők a marketingköltségeken spórolnak így évi 10 millió dollárt.
-
Kávézaccból készülnek a Tecno Camon modellek
ma Pontosabban a bőr hatású hátlap, amit kizárólag napenergia felhasználásával, kemikáliák nélkül állítanak elő.
Aktív témák
-
LordX
veterán
1. 90nm
2. Réz huzalozás
3. 11 fémréteg
4. low-k szigetelő
5. SOI
6. feszített szilícium
Hm-hm... Frankó. -
erdoke
titán
Félreértesz, nem az adott frekvencián nyújtott sebességről beszélek, hanem a disszipációról. Nem hiszem, hogy egy 3 GHz-es példánynak 100 W fölött lenne a tervezett disszipációja. Azt se hiszem, hogy a 2,6 GHz-es Opteron/FX 40 W-ott fog disszipálni 90 nm-en, mert a tranzisztorszámon kívül CSAK a SOI a differencia. Gyártástechnológiában se járhat elöl sokkal az AMD, ha jól tippelek, még akkor sem, ha az IBM segít neki.
A legjobb aláírás a héten
-
félx
csendes tag
Az viszont jó volna ha nem fogyasztani annyit mint prescot és december elött kijönne az még jobb volna
-
HiperG
addikt
Azt nem sikerült kivennem, hogy akkor az AMD az első 90nm-es példányai is használni fognak feszített szilíciumot? Vagy ez is majd?
Érdekes lesz ez a 90nm.es K8... alacsony fogyasztás, jó tuningolhatóság (minden bizonnyal), SSE3, integrált DDR2 mem vezérlő -
retard
csendes tag
Hi!
SOI: szilícium a szigetelőn technika, IBM fejlesztés. A hordozó réteg (szubsztrát) és a tranzisztorokat tartalmazó réteg közötti szigetelő sáv. A szivárgási áramokat nagyságrendekkel csökkenti. Az Intel anno erősen fikázta, azért mára ők is kidolgozták ezt a technológiát, de másként hívják. (alapból teljesen egyformák, csak nehogy már az IBM-től keljen venni technológiát.)
Strained silicon: feszített szilícium. Itt a jó öreg germánium került elő újra. Egy szilícium-germánium ötvözetre növesztenek szilíciumot, ezáltal a Si atomok messzebb kerülnek egymástól. Az elektronok kevésbé akadnak el az atommagokban :DD -> nagyobb mozgékonyság, kisebb veszteség.
Low-k: a rézhuzalozásnál került elő. Ugye a tranzisztorokat össze kell kötni egymással, erre mostanában rezet használnak. Mivel elég bonyult összekötni
x 100 millió tranyót, elég sok réteg kell hozzá. (lásd mint NYÁK-ok esetén).
Minden rézréteg között található egy szigetelő réteg. Amíg alumíniumot használtak addig a szilícimoxid frankó volt, a réz és Si viszont utálják egymást így újjab szigetelő után néztek aminek a relatív dielektromos állandója lehetőleg kisebb (ez a ''k'', nálunk ''er''). Ezzel csökken a huzalozások közzöti parazitakapacitás, ami a jelátvitel rontja -> nagyobb sebesség.
;]
[Szerkesztve] -
Bgs
senior tag
Ha az AMD ebben az utemben csokkenti a ho teljesitmeny csokkenteset, akkor rovidesen konkurancia lehet nem csak az Intel szamara, hanem a VIA (C3) szamara is :)
Komolyra forditva: idealis otthoni gep lesz belole. (Mondjuk a szerverszoba zajszintjet sem rossz dolog csokkenteni...)Bgs Kek modolt farmer, SMP bicska, spam taszito ing, integralt karora, personal firewall gatya, antisztatikus zokni, 5 sec alatt rebootolhato cipo.
-
rudi
nagyúr
Ez a csökkentés inkább csak hangzatos PR. Szerintem inkább az a lényeg, hogy csak év végén lesznek kb. ott, ahol az Intel volt egy-két hónapja vagyis 0.09-en. Persze nekik valamivel könnyebb lesz mert nem 4-5 hanem 3-3,5GHz lesz a cél.
Resistance Is Futile. You will be assimilated!
-
Bgs
senior tag
Az egy dolog, hogy el akarjak terelni a figyelmet arrol, hogy meddig kell varni. Masik dolog, hogy az adatok valosak-e...
Tekintve az Opteronok eddigi parametereit, nekem egyaltalan nem tunnek legbolkapottaknak ezek az ertekek.
A proci ho leadasat nem csak a gyartasi technologia hatarozza meg, hanem a proci tervezese is. Tehat azert, mert az Intel 90nm ontja a hot (alias Prescot), meg nem biztos, hogy az AMD 90nm is fogja. Ami kezzel foghato info: Intel 130nm is kalyha volt, Prescott ratett egy lapattal. (Feltehetoleg nem a 90nm az oka). Opteron 130nm a piaco tekintve langyos. Ha nem rontjak el, akkor 90nm-en javulas is varhato.Bgs Kek modolt farmer, SMP bicska, spam taszito ing, integralt karora, personal firewall gatya, antisztatikus zokni, 5 sec alatt rebootolhato cipo.
-
erdoke
titán
-
retard
csendes tag
-
retard
csendes tag
Nem temetem :DDD
A szilíciumkarbid (SiC) csodákra képes :) A gyémánt meg főleg, de az újjab 10 év.
Mondjuk 10 éve még nem lehetett ennyi csoda szakkifejezést hallani, mint ami mára már hétköznapi lett.
Amit még el lehet sütni az valóban a high-k + többkapus tranzisztorok stb. -
félx
csendes tag
De mi van akkor ha úgy gondolja az AMD hogy ha az Intelnek nem megy akkor nem kell annyira sietnie a 90nm-es technologia bevezetésével de ez csak egy feltevés
-
Bgs
senior tag
-
LordX
veterán
Ezeken a csíkszélességeken és frekvenciákon a legnagyobb gondot hőleadás és elérhető frekvencia szempontjából a szivárgási áram okozza. Szivárgási áram két helyen van:
- vezetékeknél. Ezt a low-k szigetelő réteg csinálja.
- tranzisztoroknál. Itt azért alakul ki, mert a szilícium is vezeti az áramot. (Bár nem annyira, mint a fémek). Ha a tranzisztorok alá a szilícium helyére szigetelőt rakunk, akkor ezt a szivárgást csökkentjük. Ez a SOI. -
retard
csendes tag
Mély levegő.
A ''k'' a relatív dielektromos állandó. Megmutatja, hogy egy vákuum szigetelésű kondenzátor értéke mennyivel változik meg, ha a vákuumot lecseréljük egy másik szigetelőanyagra. Világos ugye. :)
A vákuum k-ja 1. A procikban alapvetően használt SiO2-é 3.9.
A low-k az ennél kisebb, a high-k az ennél nagyobb értékű. A high-k a tranzisztorknál jön elő. Ezeknek van egy vezérlő fém elektródája (gate) és a vezérelt csatorna. Ebben haladnak a töltéshordozók. A gate-tel kapcsoljuk ki-be (0-1). A csatorna és a gate között egy szigetelőréteg van. Ez a korábbi SiO2. (Így van egy frankó kondenzátorunk.) Manapság ennek a vastagsága közelít az 1 nm felé. Ez pár atomnyi csak. A problémát a gate szivárgási árama okozza (a szigetelő egyre kevésbé szigetel, áram folyik rajta a csatorna felé). Ahhoz hogy a tranyó kapcsolási sebessége ne változzon, de a szigetelő vastagságát növelhessük, olyan szigetelőt kell keresni, aminek a k-ja nagyobb -> high-k. Ha lecseréljük SiO2-t egy 39 ''k''-s szigetelőre, akkor a szigetelő vastagságát elvileg a 10x-ére tudjuk növelni -> szivárgási áram csökken, mindenki örül.
Továbbra is világos ugye? :D
A későbbiekben a több gate-s tranyókat is bevetik a cél érdekében. Természetesen az intelnek ebből is több kell, mint a többieknek. De ez nekünk csak jó lesz.
Mindent Tudás Egyeteme. :) -
Robi_73
őstag
1/2X:C
Robi73
Aktív témák
- Android alkalmazások - szoftver kibeszélő topik
- EAFC 24
- Kávézaccból készülnek a Tecno Camon modellek
- AMD Ryzen 9 / 7 / 5 7***(X) "Zen 4" (AM5)
- Milyen asztali (teljes vagy fél-) gépet vegyek?
- Óvodások homokozója
- Dragon Age: Origins
- Android másképp: Lineage OS és társai
- ldave: New Game Blitz - 2024
- Diablo IV
- További aktív témák...
Állásajánlatok
Cég: Promenade Publishing House Kft.
Város: Budapest
Cég: Ozeki Kft.
Város: Debrecen