A WikiChip nemrég számolt be a TSMC érkező újításairól, amelyek kiegészítik majd az eddig ismert gyártási eljárásokat. A tajvani bérgyártó ezúttal a nagyobb teljesítményű lapkákra fókuszál, és bejelentették az N7P és N5P node-okat, amelyeknél a P a performance-re utal.

Az N7P az aktuális, 7 nm-es node továbbfejlesztése, de a korábban már bejelentett N7+ node-dal ellentétben nem használ EUV litográfiát. Ennek az előnye, hogy az első 7 nm-es eljárással nagyfokú kompatibilitást kínál, miközben a lapka teljesítményét akár 7%-kal képes növelni, vagy esetleg akár 10%-kal alacsonyabb fogyasztás is elérhető. Tekintve, hogy DUV (deep ultraviolet) litográfia megmarad, így a tranzisztorsűrűség nem igazán javítható, de ez még így is kifejezetten elfogadható alternatíva a partnerek számára. Ez a gyártási eljárás már elérhető, hiszen kompatibilis a kiépített berendezésekkel.

A másik friss bejelentés az N5P, ami az 5 nm-es EUV node modernizálása, amivel akár 7%-kal növelhető az adott lapka teljesítménye, vagy akár 15%-kal jobb lehet a fogyasztás. Ez a node leghamarabb a következő év végén érkezik, valamivel az eredeti N5-ös gyártástechnológia bevetése után.

Természetesen a korábban beígért eljárások nem változnak, a 7 nm-es EUV (N7+) már hozzáférhető, és az 5 nm-es EUV (N5) is javában készül. Valószínű azonban, hogy a legnagyobb érdeklődésnek a 6 nm-es EUV örvend, ami az N7+ half-node-ja, és kifejezetten jó opció lehet az 5 nm-et drágálló partnerek számára. Ez a fejlesztés is valamikor a következő év végén válik elérhetővé, tehát az 5 nm-es lapkák hamarabb kihozhatók. Végül az N3, vagyis a 3 nm a tervek szerint jön, de ez egyelőre annyira távoli, hogy nincsen konkrét időpont.