A TSMC bejelentette, hogy már nagy mennyiségben termelnek a második generációs 7 nm-es node-jukon, amely már az EUV-s litográfiát használó verzió. Utóbbinak hála, az EUV-t nélkülöző, első generációs opcióhoz képest 15-20%-kal javulhat a tranzisztorsűrűség, miközben 10%-kal jobb fogyasztási adatok hozhatók. Ezek az értékek persze függnek a lapkadizájntól, tehát nem kőbe vésett előrelépésről van szó.

Az EUV-s 7 nm-es node két negyedév alatt elérte azt a kihozatalt, amin jelenleg fut a tajvani bérgyártó első 7 nm-es gyártástechnológiája. Egyelőre az új eljárást az Apple és a Huawei veszi igénybe rendre az A13-as és a Kirin 990 5G jelzésű rendszerchipekkel.

A TSMC a következő nagy lépcsőnek számító 5 nm-es eljárás mellett hoz egy úgynevezett 6 nm-es half-node-ot is. Itt nem gondolkodik rosszul a cég, mivel az 5 nm-es eljárásukra való átállás igen jelentős költséggel jár majd a partnereik számára, így valószínűleg látják már, hogy sokan inkább maradnának majd 7 nm-en. Számukra lehet egy értékes lehetőség a 6 nm-es lépcső, ugyanis half-node-ról lévén szó, a 7 nm-hez kidolgozott technológiákat direkten fel lehet majd használni ehhez is. Így már jóval költségkímélőbb előrelépésről beszélünk, miközben értékelhető előnyt kínál.

A 6 nm-es csíkszélesség technikailag az EUV-s 7 nm-es node továbbfejlesztése, amelyhez képest további 18%-ot javulhat a tranzisztorsűrűség. Ennek a kísérleti gyártása a következő év első negyedévében kezdődhet meg.