Az Illinoisi Egyetem tudósai egy olyan heteroátmenetes bipoláris tranzisztort (HBT) fejlesztettek ki, amelynek a maximális frekvenciatartománya 509 GHz. Walid Hafez, Jie-Wai Lei és Milton Feng a saját maguk által felállított korábbi világcsúcsot ismét megdöntötték.

Forrás: www.heise.de

2003 januárjában ugyanez a trió egy hasonló tranzisztort alkotott 150 nanométeres kollektorral; annak a maximális frekvenciája akkor még "csak" 382 GHz volt. A mostani műalkotás már 75 nanométeres kollektorral került ki a laborból.

Eltérően a hagyományos szilíciumra épülő tranzisztoroktól, a HBT-k az indium-foszfidre és indium-galliumarzenidre épülnek, és a felépítésük vertikális megoldású. Milton Feng azt nyilatkozta, hogy mivel normálisan a tranzisztorokban az összekötő elem nagyobb, mint a tranzisztor maga, ezért a Gate-elektródát egy úgynevezett mikrohíd segítségével kötötték össze a tranzisztor többi részével. Minderre azért volt szükség, hogy "a parazitás (szórt) bázis-kollektor kapacitásokat minimalizálják". A munka folytatódik, a kutatók további skálázással szeretnék még feljebb emelni a mostani álomhatárt.