A Samsung bejelentette, hogy megindult az iparág első 3D-s struktúrát használó, úgynevezett V-NAND flashmemóriájának tömeggyártása, mely a korábbi megoldásokhoz képest nagyobb teljesítményt és jobb élettartamot ígér.

[+]

A 128 gigabites kapacitású lapka a planáris cellarétegeket vertikálisan tokozza, ehhez azonban a Samsung a 2006-ban kifejlesztett Charge Trap Flash technológiához nyúlt vissza, ami biztosítja a flashmemória megfelelő működését háromdimenziós struktúrával is. A saját fejlesztésű belső összeköttetés maximum 24 cellaréteg vertikális elhelyezését támogatja. Ez jó hír a Samsung számára, hiszen a jövőben úgy képesek majd növelni a NAND flash lapkák kapacitását, hogy nem kell küzdeniük a bonyolult planáris skálázással, ami manapság alaposan megnehezíti a fejlesztéseket.

A Samsung V-NAND flashmemóriája ráadásul jó hatással van a teljesítményre, mivel a 10 nm-es osztályú, úgymond hagyományos NAND megoldásokhoz képest az írási tempó a kétszeresére nő, míg az élettartam minimum kétszer, de akár tízszer is jobb lehet.