A NAND flashmemória számít manapság a mechanikát nélkülöző adattárolók alapvető elemének, de sajnos a fejlődés szempontjából ez a rendszer nem egy életbiztosítás. A NAND flash chipek élettartama a csíkszélesség csökkenésével egyre rosszabb, illetve a cellákat sem lehet túl sűrűn helyezni, ugyanis az úgynevezett lebegő kapuk átadhatják egymásnak a töltést, amit természetesen el kell kerülni. A gondok ellen az élen járó cégek a HKMG eljárással küzdenek, mely segít a problémákon, de sajnos nem tünteti el azokat. A Samsung V-NAND megoldása azonban több mint ígéretes, így egy darabig még megoldott a NAND flashmemóriák fejlődése, de pár éves távlatban így is égető szükség lenne tehát egy könnyen gyártható alternatívára.
A Crossbar bejelentette, hogy az általuk fejlesztett RRAM kiválthatja a NAND flashmemóriát. A közölt specifikációk alapján a nem felejtő memória tényleg életképes alternatíva, hiszen a cég szerint könnyen implementálható a jelenleg használt gyártástechnológiákon is. Ez egy nagyon fontos tényező, ugyanis már számos potenciális jelölt van a NAND flashmemória kiváltására, de egyik gyártása sem lenne egyszerű, míg az RRAM ebből a szempontból komoly előnnyel bír.
Az új fejlesztés alapvetően három rétegből áll. A legfelső és a legalsó réteg fém és nem fém elektróda, míg középső amorf szilícium. Az elektródák feszültség hatására megváltoztatják a köztes amorf szilíciumot, amely így zárja az áramkört. Ezzel megkülönböztethető két állapot, ami tökéletes az adatok eltárolása szempontjából. Az RRAM előnye a NAND flashmemóriahoz viszonyítva, hogy sokkal sűrűbb adattárolást tesz lehetővé. A Crossbar szerint egy 8 GB-ot tároló 25 nm-es RRAM, mindössze 77 mm²-es kiterjedésű, ami egy megegyező kapacitású NAND flashmemória 167 mm²-es területéhez viszonyítva jelentős előrelépés. Emellett az RRAM skálázható is, így később egy 200 mm²-es lapka akár 1 TB-nyi adatot is tartalmazhat.
Az RRAM írási teljesítménye is igen acélos, hiszen hússzor gyorsabb lehet az aktuális NAND flashmemóriákhoz viszonyítva, továbbá egy cella programozása mindössze 64 pJ energia felhasználásába kerül, ami messze hatékonyabb, mint az aktuális NAND flash lapkák celláinak 1300 pJ fölötti igénye. Az RRAM fejlesztése kapcsán a strapabírás szintén nagyon fontos szempont volt, ugyanis a mai SSD-kre a legfőbb panasz, hogy erős terhelés mellett túl hamar elhasználódnak. Az új memória esetében a cellák programozásához nem szükséges azok tartalmát törölni, így növelhető azok élettartama. Emellett az RRAM eleve egy nagyon robusztus megoldás, ugyanis egy cella egymillió írásciklust is elvisel, ami nagyságrendi előrelépés az aktuális NAND flashmemóriák celláinak párezres értékéhez képest.
A Crossbar szerint az RRAM leghamarabb 2015-ben mutatkozhat be, de valószínű, hogy konkrét termék csak 2016-ban épül majd a rendkívül ígéretes fejlesztésre.
