A Samsung bejelentette, hogy elkészítették az iparág első, 12 nanométeres osztályú, EUV litográfiát alkalmazó node-on készülő, DDR5 szabványú memórialapkáját. A tempó tekintetében a cég effektív 7,2 GHz-es órajelet céloz, amit egyébként már korábban is elértek, tehát ebből a szempontból nem beszélhetünk előrelépésről.
A 16 gigabites kapacitást kínáló lapka az előző generációs dizájnhoz viszonyítva 23 százalékkal kevesebb energiával is beéri, és ez igen kellemes javulásnak számít.
A Samsung a friss fejlesztését minden területen beveti, így a szerverpiac mellett asztali és mobil szinten is elérhetik majd a gyártók. A tömeggyártás még idén kezdetét veszi – addig is az érdeklődők rendelhetnek termékmintákat.
