A Samsung bejelentette, hogy elkészítették a világ első, 32 gigabites, 12 nanométeres osztályú, EUV litográfiát alkalmazó node-on készülő, DDR5 szabványú memórialapkáját. A fejlesztés tempóját nem közölte a vállalat, de valószínűleg 7,2 GHz-es effektív órajel van megcélozva, amit egyébként a korábbi fejlesztések is elérték.
A dél-koreai óriáscég szerint az új lapka által elérhetővé válnak az olyan 128 GB-os memóriamodulok, amelyek nem alkalmaznak TSV-t, ezzel nagyjából 10%-kal csökkentve a fogyasztást. TSV-t használva pedig az 1 TB-ra is lehetőség nyílik. A tömeggyártás még idén kezdetét veszi – addig is az érdeklődők rendelhetnek termékmintákat.
