A BusinessKorea riportja szerint a Samsung még az év első felében megkezdik a tömeggyártást a legújabb, immáron harmadik generációs 4 nm-es node-ján.

Az új eljárás a közvetlen elődöknél jobb teljesítménykarakterisztikával bír, de ami ennél is fontosabb, hogy javulhat a kihozatal is, amit bennfentes információk alapján az iparág jelenleg 60%-ra becsül. Ez ugyan még mindig elmarad a TSMC 5 nm-es node-jának kihozatalától, de a fejlődés látványos, így idővel ezen a ponton felzárkózik a Samsung.

Fontos megemlíteni, hogy bár a dél-koreai óriáscég számára a kritikus projektnek a 3 nm-es GAAFET gyártástechnológia számít, azért érdemes észben tartani, hogy 4 nm-es FinFET eljárásra jelenleg nagyobb igény van, és valószínűleg egy darabig ez nem is változik meg.