A Samsung a PRAM egyik legnagyobb támogatója, hiszen az új memória jelentős előnyökkel rendelkezik a manapság egyre több gonddal küszködő NAND flash technológiához képest. A fázisváltáson alapuló memória az anyagszerkezet felmelegítésekor és lehűtésekor keletkező átalakulást használja ki. Az elektromos árammal irányított ciklusok hatására a kalkogén üveg amorf vagy kristályos szerkezetet vesz föl, és ennek megfelelően nagy vagy kicsi lesz az elektromos ellenállása. Ez teszi alkalmassá a technológiát a digitális adattárolásra.
A Samsung az idei ISSCC-n bemutatott egy 20 nm-es gyártástechnológiára épülő PRAM-ot, mely 8 gigabites kapacitást kínál. Az 1,8 V-on üzemelő lapka nagyjából 60 mm²-es kiterjedésű, vagyis az egységnyi kapacitás még messze van a NAND flash chipektől, de a vállalat aktuális megoldása egyetlen cellában csak egy bitet tárol. Az IBM már kidolgozott egy eljárást arra, hogy több bit is tárolható legyen egy cellában, ami drasztikusan növelheti a jövőben érkező PRAM lapkák kapacitását.
[+]
A Samsung az új PRAM lapkával komolyan erősített, hiszen az előző évben 1 gigabites kapacitású chip került elő, igaz az 58 nm-es gyártástechnológiával készült. Az aktuális megoldásnál a cég ügyelt arra, hogy a lapka funkcionálisan kompatibilis legyen a korábban használt NOR flash memóriákkal, ami megkönnyíti a váltást a partnerek számára. A bemutatott chip egyébként bitcímezhető, azaz bitenként is módosítható, az adatátviteli teljesítménye pedig 40 MB/s. A PRAM komoly előnye, hogy a cellák tűrőképessége messze túlteljesíti a NAND flash technológiát. A Samsung az aktuális lapkáról konkrét adattal nem állt elő, de az információk szerint a legjobb SLC NAND flash lapkák tűrőképességénél is jobb paraméterekkel rendelkezik az újdonság.
A PRAM komoly terjedéséhez természetesen még több idő kell, mivel az aktuális megoldások elsősorban a kapacitás szempontjából még nem elég jók, de láthatóan jó irányba haladnak a fejlesztések.
