A Toshiba nem tétlenkedett az augusztus első felében megesett (és bevezetőnkben már említett) Flash Memory Summiton, mert nem csak az új, XFMEXPRESS formátumuk nyerte el a Best of Show díjat, de számos tárhellyel kapcsolatos technológiájuk is megtekinthető volt a rendezvényen. Néhány friss PCI Express 4.0-s, NVMe-s SSD-n kívül ott volt még az XL-Flash Storage Class Memory (SCM) útrabocsátása, pár NVMe-oF (NVMe over fabrics) Ethernet SSD, illetve szóba került a BiCS FLASH jövője is, beleértve a cellánként 5 bites Penta-level cell (PLC) NAND fejlesztését.
(forrás: Toshiba) [+]
A japán multi megkezdte az ötödik, a hatodik és a hetedik BiCS generáció tervezését, melyek mindig egy új PCI Express sztenderd megjelentével fognak debütálni, kezdve a hamarosan érkező, PCI Express 4.0-hoz igazított BiCS5-tel, ami 1200 MT/s sávszélességgel rendelkezik majd. Ez az érték a BiCS6 esetében 1600, a BiCS7 esetében 2000 MT/s-ra növekszik.
(forrás: Toshiba) [+]
Ahogyan azt korábban írtuk, elstartolt a PLC NAND-ot illető kutatás és QLC NAND-ot módosítva a Toshiba már igazolta a cellánként 5 bites NAND működőképességét. Ahhoz, hogy cellánként 5 bitet el lehessen tárolni, létfontosságú, hogy az adott cella képes legyen eltárolni 32 különböző feszültségszintet, miközben a vezérlőnek is pontosan vissza kell tudnia olvasni őket. Ennyi feszültségszintet meglehetősen nehéz írni-olvasni a nanométeres spektrumban, így elengedhetetlen volt újabb folyamatok kifejlesztése, amiket a cég talán majd hozzáigazít a jelenlegi TLC-jéhez és QLC-jéhez, hogy javítson azok teljesítményén.
(forrás: Toshiba) [+]
A PLC egyedüli hátulütőinek egyelőre a (kikövetkeztethető) lassulás és gyengülő írástűrés látszik, ami amúgy már a QLC-s eszközök esetében sem túlságosan szívderítő. Az olyan újkeletű NVMe-képességek szépíthetnek a dolgon, mint például a ZNS (Zoned Namespaces), melynek célja a csökkentett write amplification és az over-provisioning szükségességének, továbbá a kontroller DRAM-használatának csökkentése, az adatáteresztés és a késleltetés javítása mellett.
