A GlobalFoundries a Samsungtól licencelt 14 nm-es node-ok mellett egy alternatív irányt is kínál majd a partnereknek, ugyanis FD-SOI struktúrájú a 22 nm-es node-on dolgoznak. A SOI (szilícium a szigetelőkön) természetesen nem ismeretlen a vállalat számára, hiszen korábban már használták a technológiát, de leginkább a kevésbé hatékony PD (Partially Depleted) megvalósítást. Ennek előnyei mellett van egy nagy hátránya, mégpedig a lebegőtest effektus, amikor a félvezető és a szigetelő között töltés keletkezik, és erre a dizájn kialakításánál ügyelni kell, de a csíkszélesség csökkenésével ez egyre nehezebb. Az jobbnak tekinthető FD (Fully Depleted) opció ettől a problémától mentes, viszont a megfelelő gyártástechnológia kialakítása nagyságrendekkel nehezebb.
A GlobalFoundries az STMicroelectronics technológiájára épít, és a döntésben lényeges szerepe lehet annak, hogy az FD-SOI-ra több fontos partner is figyel. Ez a rendszer pont azt teszi lehetővé, amire szükség van, vagyis az adott lapka a kívánt órajelet alacsony feszültségen is elérheti, azaz hatékonyabbá válik a fogyasztás és a teljesítmény szempontjából.
Mivel a viselhető eszközök piaca növekszik, egyre több cég kutatja a lehetőséget a bevált 28 nm-es node-okról a modernebb technológiákra való átállásra. Az új bulk node-ok alapvető problémája azonban, hogy lényegesen drágábbak, mint ami megengedhető ezen a területen. A legtöbb érintett valami olyasmi rendszert szeretne, amely hozza a FinFET tranzisztorok előnyeit, de a gyártás csak kismértékben drágul az aktuális 28 nm-es technológiákhoz viszonyítva. A 22 nm-es FD-SOI pont ilyen lesz. Persze a gyártástechnológia kialakítása nehezebb, ám FD-SOI-ra egyszerűbb lapkát tervezni, ami szintén egy olyan költségcsökkentési tényező, amelyet sokan nem fognak figyelmen kívül hagyni.
A GlobalFoundries úgy gondolja, hogy azokhoz az alacsony fogyasztású lapkákhoz, amelyek a belépőszinten kerülnek bevetésre, a 22 nm-es FD-SOI jobb választás, mint a 14 nm-es LPP node.
