Az AMD, hogy bemutassa sikerességét a félvezető kutatásban és fejlesztésben, a 2002-es International Electronic Devices Meeting (IEDM) alkalmából megismerteti a közönséggel néhány technológiai eredményét, melyek leginkább a következő generációs tranzisztorok és memóriacellák létrehozásában lehetnek hasznosak. Az IEDM kiállítást idén december 8 és 11 között rendezik meg San Fransisco-ban, vagyis már a végén járunk. A kutatások eredményei legkorábban 2005-ben jelenhetnek meg a termékekben.

Következő generációs tranzisztorok:

Az AMD három technikai bejelentést tett eddigi és folyamatban levő kutatásairól. A tranzisztorok a mikrochipek elsődleges alkotóelemei, jelenleg az úgynevezett planáris tranzisztorokból épülnek fel a nagy teljesítményű chipek. Az AMD azt reméli, hogy a berkley-i University of California-val együtt kidolgozott tranzisztortípus felválthatja a planáris tranzisztorokat, új ipari szabvánnyá válva a nagyteljesítményű chipek körében.

Az új tranzisztort a szakma FinFET-nek (Fin Field Effect Transistor) ismeri, mely nevét (fin) arról a vízszintesen elhelyezett "uszonyról" kapta, ami egy helyett két kaput hoz létre, így megduplázva a feszültséget, amit a tranzisztorra lehet kapcsolni, jelentősen javítva a kapcsolási karakterisztikát. Ezzel a praktikus megoldással a növekvő teljesítmény mellett lehetővé válik a további méretcsökkentés, és a magas arányú gyártási kihozatal a jelenleg használt eljárásokkal.

2002 szeptemberében az AMD már bemutatott egy FinFET-et, 10 nm-es kapuhosszal, ami az ötöde a jelenlegi legfejlettebb gyártásban levő tranzisztornak.

A másik két bejelentés azzal kapcsolatos, hogy a cégnek sikerült fémből készült kapukat alkalmazia tranzisztorokon a jelenleg használt poliszilícium helyett. Ez a technika a tranzisztorok teljesítményénak maximalizálását hivatott elősegíteni a 2005 utáni gyártósorokon. A nikkel alapú technika drámaian javíthatja az elektronok áramlását a tranzisztorban, hiszen ha a megfelelő módon alkalmazzák, a fém kapu fölöslegessé teheti azt a napjainkban alkalmazott eljárást, hogy a kapu szilíciumrétege alá szennyezőréteget építenek be a csatornába, ezzel elérve az optimális kapcsolási karakterisztikát. A szennyezőréteg kiváltása jobb elektronáramlást tesz lehetővé, így növekszik a tranzisztor teljesítménye. Ráadásul ez a nikkel alapú technika olcsóbb lehet, mint a többi, hasonló kutatás eredménye.

A jövő flash memóriái:

Az AMD a Stanford University-vel közösen jelentette be új felépítésű flash memóriacelláját, mellyel már 65 nm alatti elemekből is lehet építkezni a következő generációs flash termékeknél.

Ezek az új struktúrák tulajdonképpen úgynevezett nanocsövek: a kb. 5 nm-es poliszilícium csövecskék tárolják az elektromos töltést. Ebben a méretben a csövek már kvantummechanikai tulajdonságokat is mutatnak, gyorsabb törlést lehetővé téve a hagyományos flash memóriacelláknál, ráadásul kitűnő adattartási jellemzőkkel bírnak. Az új technológiával a flash memóriachipek nagyobb kapacitásúak lehetnek, ráadásul a teljesítményük drámaian nőhet -- mindez jóval kisebb írási és olvasási energiaigénnyel párosul.