Az SK Hynix bejelentette, hogy elkészült az ötödik generációs, 10 nanométeres osztályú, 1bnm nevet viselő gyártástechnológiájuk, amelyen első körben DDR5, LPDDR5T és HBM3E memóriákat gyártanak majd.
A dél-koreai cég szerint – az Intel Sapphire Rapids platformján – már sikerült validálniuk olyan DDR5-ös szervermemóriát, amely 6,4 GHz-es effektív órajelen üzemelt, ezzel 33%-kal növelve a teljesítményt a korábbi megoldáshoz viszonyítva.
A vállalat az új LPDDR5T lapkákhoz, illetve a HBM3E-hez is az új gyártási eljárást fogja használni, utóbbival biztosan elérhetővé válik az 1 TB/s-ot meghaladó adatátviteli tempó egy memóriastackre levetítve, de az ennél pontosabb specifikációk még nem nyilvánosak.
Az 1bnm node a fentieken túl nagyjából 20%-kal kisebb fogyasztást is eredményez az 1anm-hez viszonyítva, így az energiahatékonyság tekintetében is számottevő az előrelépés.