A vállalat kutatóinak először sikerült az eddigi szíliciumból készült kapuelektródákat fémalkatrészekkel helyettesíteni. Izolálórétegként a szakemberek egy "high-k" nevű anyagot használtak föl. Ezzel a szigetelőréteggel és a fémelektródákkal sikerült megakadályozni - pontosabban százszor kevesebb mértékűvé redukálni - az "áram-szivárgásokat", amelyek egyébként hőt termelnek és a fogyasztást is kedvezőtlenül befolyásolják.
Forrás: www.heise.de
Az Intel alkatrészkutatási vezetője, Ken David szerint ez a lépés kihagyhatatlan lesz a minden eddiginél kisebb méreteket produkáló gyártástechnológiák fejlesztésekor. A szíliciumelemek fémalkatrészekkel való pótlásával pár éven belül lehetségessé válik akár a 45 nanométeres gyártástechnológiával készülő chipek gyártása is. Mint ismeretes, jelenleg a processzorok 130 és 90 nanométeres technológiával készülnek. A "káros folyamok" kiszűrésére egyébként a Transmeta például a LongRun-technológiát használja, ahol csökkentik az órajelet és a CPU-feszültség értékét, így mérsékelve a processzor fogyasztását, bár utóbbi csökkenésével egyre problémásabbá válik az áram-szivárgás. A téma iránt érdeklődők további részleteket ismerhetnek meg az EE Times november 5-ei elemző cikkéből.
Az Intel szerint az új módszerük legkorábban 2007-ben debütálhat.
