A Samsung már két V-NAND megoldást is kifejlesztett, melyek közül az első 24, míg az újabb generáció 32 cellaréteget használ, de a cellák még mindig két bitet tárolnak, azaz MLC-s megoldásnak tekinthető a memória.

A vállalat a SSD Global Summiton egy kérdésre elmondta, hogy már dolgoznak a TLC, azaz a cellánkénti három bit információ tárolásának megoldásán a V-NAND technológia esetében is. Ez igen ütős kombináció lehet, hiszen a Samsung V-NAND alapvető előnye, hogy az egyes cellák rendkívül sok írási ciklust viselnek el, mielőtt elhasználódnak, így a fogyasztók számára az optimális megoldás tényleg a TLC párosítása a V-NAND-dal.

Ezzel elérhető, hogy az új generációs V-NAND lapkák igen sok adatot legyenek képesek tárolni, ami elhozhatja a terabájtos szintű tárhelyet kínáló SSD-k korát.