A Fujitsu bejelentette, hogy a következő év folyamán megkezdhetik az NRAM tömeggyártását, amelyet sokan az új "csodamemóriának" tartanak. Persze az utóbbi időben számos hasonló technológiát aposztrofáltak már így, aztán nem sokra vitték, de a 2011-ben alapított Nantero elképzelése elképesztő adottságokkal rendelkezik, és a Fujitsu ezt még 2016-ban licencelte.
A működés tekintetében az NRAM egy nem felejtő, karbon nanocsövekből álló memória, amely elméletben végtelen mennyiségű írási ciklust garantál, miközben a sebessége a DRAM memóriákhoz mérhető, ami a jelenlegi felhozatalt tekintve tényleg egy kisebbfajta csodát jelent, hiszen a DRAM felejtő memória.
Az információtárolása szempontjából a cellák saját nanocső összeköttetéssel rendelkeznek. Amikor az ellenállás alacsony, akkor a nanocsövek érintkeznek, míg ha magas, akkor nem. Ez adja meg a tökéletes alapot az adattárolásra, hiszen feszültség hatására a cellák állapota megváltozik, ráadásul elképesztően gyors ütemben. Ahogy említettük, a strapabírás szempontjából az NRAM elvileg végtelen mennyiségű írási ciklust is kibír, de a gyakorlatban ez nem teljesen igaz, lesz egy maximális terhelhetőség, viszont ez a szám annyira magas, hogy nem is érdemes vele foglalkozni. Az első tesztlapkák például még 1012-en írási és 1015-en olvasási ciklus után is működtek, azóta pedig fejlődött a technológia, ergo a terhelhetőség gyakorlati léptékben is óriási. Mindemellett az NRAM sarkalatos pontja, hogy az extrém körülményekkel sincs gondja, így lehet nagyon hideg, nagyon meleg, rádioaktív környezet vagy erős mágneses hatás is. A specifikáció szerint egy lapka 800°C-os hőmérsékleten is üzemképes marad, de ami ennél fontosabb, hogy elvi szinten, 85°C-on akár ezer évig megőrzi az adatokat, 300°C-on pedig tíz évig.
A Fujitsu a saját NRAM memóriáinak tömeggyártását jövőre kezdi meg, méghozzá a 55 nm-es node-on. Első körben valószínűleg a beágyazott rendszerek piaca lesz terítéken.
