Az Infineon és az IBM tegnap elsőként mutatott be MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) technológián alapuló 16 megabites chipeket. A lapkák által tárolt adatok sűrűsége túlszárnyal minden más aktuális megoldást, bizonyítva, hogy az eljárás mind a nagy teljesítményű számítógépek, mind a hordozható eszközök piacán fényes karrier előtt állhat.
Az MRAM olyan eljáráson alapul, amely nem elektromos töltéseket, hanem mágneses polarizációt használ az adatbitek tárolásához. Az MRAM annyi írási ciklust tesz lehetővé, mint a dinamikus RAM-ok, olyan sebességet biztosít, mint a statikus RAM-ok, és éppúgy nem igényel állandó frissítést, mint a flash memóriák; ráadásul előállítása is költséghatékony.
Az MRAM legegyszerűbb formájában mátrixszerűen elhelyezkedő elektromos vezetőkből áll, a vezetékek kereszteződési pontjában egy-egy ferromágneses ellenállással (MR elem). Az MR elemet két, egymástól függetlenül mágnesezhető réteg alkotja, köztük vékony elválasztó anyaggal (spacer). Az MR elem ellenállása rétegeinek mágnesezettségétől függ: azonos polaritás esetén kicsi, ellentétes polaritás esetén nagy. Az alsó rétegnek állandó a mágnesezettsége, a felső réteg polaritását, és így az MR elem ellenállását a felette elhaladó vezeték elektromágneses mezejével lehet változtatni. Az MR elem kis ellenállású állapota megfeleltethető például az "0" bit, a nagy ellenállású állapota pedig a "1" bit tárolásának, amely természetesen a következő írási műveletig fennmarad frissítés nélkül is; a cella állapota egy egyszerű, nem-destruktív ellenállás-mérés segítségével kiolvasható.
Az Infineon és az IBM lapkája esetében az az idő, amely az első információbit MRAM-ba való írásához szükséges, egymilliomod része a flash tárolók által igényeltnek. Az első bit olvasásakor az MRAM háromszor gyorsabb a NOR, és ezerszer gyorsabb a NAND flash memóriáknál. Ráadásul az MRAM a dinamikus RAM-oknál kevesebb energiát fogyaszt, és nem kell állandóan frissíteni, vagyis kikapcsolt állapotban sem vész el a tartalma.
A bemutatott mintát 180 nanométeres gyártástechnológiával készítették. A chip úgynevezett 1-Transistor-1-Magnetic-Tunnel-Junction (1T1MTJ) cellákból áll, és a statikus RAM-okhoz hasonló csatolófelülettel rendelkezik. A lapka 30–40 nanoszekundumos hozzáférési és ciklusidővel üzemel. Az egyes cellák 1,42 µm2 alapterületűek, ez teszi lehetővé a nagy adatsűrűséget. A tervezők gondoskodtak a standby állapotban felvett áram minimalizálásáról is. A három réz réteggel rendelkező CMOS alapon három specifikus MRAM-réteg kapott helyet. Az alacsony ellenállású Ground Mesh réteg nagy kiterjedésű tömbök kialakítását teszi lehetővé. A mostani chip két 8 megabites egységből áll, amelyeket 64–64 darab 128 kilobites blokkra osztottak fel. Minden blokk egyetlen memóriatömböt jelent a hozzá kapcsolódó vezérlőáramkörökkel.
