Az IBM bejelentette, hogy elkészítették a világ első, 2 nm-es node-on gyártott lapkáját. Az új gyártástechnológia a cég szerint 45%-kal jobb teljesítményt és 75%-kal alacsonyabb fogyasztást biztosíthat az aktuális legjobb 7 nm-es eljáráshoz viszonyítva, de ekkora előrelépés várható is több node különbséggel.
[+]
A vállalat Gate All Around FET (GAAFET), azaz nanohuzalos technológiát alkalmazott, ami ezen a csíkszélességen nem meglepő, és ezáltal 50 milliárd tranzisztor is belefér egy körömnyi lapkaterületre. Ez nem valami pontos adat az IBM-től, viszont amúgy sem lenne hasznos tudni azt, hogy mit értenek egy körömnyi lapkaterületen, mivel az egyes különböző áramköröknél a tranzisztorok is eltérő sűrűséggel helyezhetők el. Valószínű egyébként, hogy a tranzisztorsűrűség négyzetmilliméterenként 250-350 millió tranzisztor lehet, és ezzel elég sokféle áramköri elemet lefedtünk, ha nem is az összeset. A tesztlapka felépítéséről egyébként nincs információ, de jellemző, hogy az új gyártástechnológiák első kipróbálásakor nem alkalmaznak bonyolult áramköri elemeket.
[+]
Mivel az IBM-nek nincs saját, tömeggyártásra alkalmas chipgyára, így a fejlesztéseiket más cégekkel osztják meg. A vállalat együttműködik a Samsunggal, illetve mostanság az Intellel is, vagyis a nagy valószínűséggel az említett két gyártó fogja hasznosítani a mostani bejelentéssel kapcsolatos technológiákat, a licencfeltételekről majd a háttérben megegyeznek. Megjegyzendő, hogy a GlobalFoundries is kapcsolatban van még az IBM-mel, de az arab tulajdonban lévő bérgyártó a modern és drága gyártástechnológiák után már nem érdeklődik, vagyis jó eséllyel ezzel a 2 nm-es eljárással sem fognak szemezni.
Természetesen a fejlesztés még korai fázisban van, így a most bemutatott 2 nm-es eljárás még évekig nem kerül bevetésre tömegtermelés szintjén.
