A félvezetőgyártással foglalkozó cégre rendkívül nagy anyagi terhet ró az újabbnál-újabb gyártástechnológiai eljárások kifejlesztése, amelyek a csíkszélesség csökkentésével egyre bonyolultabbá válnak. Emiatt az IBM – több más gyártó szövetkezve – együttesen igyekszik a 32 nm-es csíkszélesség utáni következő lépcsőfokot, a 28 nanométeres gyártástechnológiát kifejleszteni. A szövetséges gyártók közt olyan nevek találhatók, mint a Chartered Semiconductor, az AMD kettéválásával megalakult GlobalFoundries, az Infineon Technologies, a Samsung Electronics és az ST Microelectronics.
A 28 nm-es eljárás a HKMG technológiát is tartalmazni fogja, ami az energiaszivárgás nagymértékű csökkenését és körülbelül 20%-kal alacsonyabb működési feszültség elérését teszi lehetővé. A jelenlegi, 45 nm-en legyártott termékekhez képest a teljesítmény várhatóan 40%-kal fog növekedni, miközben a chipek mérete a felére zsugorodik. Ennek leginkább a mobil eszközökben felhasznált chipek esetében van nagy jelentősége, mert azok az új technológia segítségével hosszabb akkumulátoros üzemidőt érhetnek el. További előnye, hogy a 32 nm-es csíkszélességű gyártástechnológiához készült chipeket nem szükséges áttervezni a váltáshoz, ami a megrendelők számára csökkenti az új technológiára való átváltás költségeit. Az IBM és szövetségesei jelenleg az ARM-mal együtt dolgoznak a Cortex termékcsalád és annak utódai megtervezésén.
GlobalFoundries: 2010-re 28 nanométeres gyártás?
Az Intel – aki egyedül fejleszti saját gyártástechnológiai módszereit – év végén már szállítani fogja a 32 nm-en gyártott Westmere processzorait, míg legfőbb riválisa, az AMD kettéválása után megalakult GlobalFoundries, várhatóan az év végére készül el a technológia bevezetéséhez szükséges változtatásokkal. A vállalat szóvivője, Jon Carvill szerint a tényleges tömegtermelés 2010 első felében indulhat be, de a 28 nm-es, half-node-nak nevezett eljárás is elérhetővé válik majd 2010 második felében, ami leginkább a grafikus processzorok szegmensében erősítheti meg a gyártó versenyképességét.
