A Tokiói Technológiai Intézet egy érdekes fejlesztést leplezett le, amely a HBM memóriaszabvány kihívója lehet. A BBCube 3D, vagyis Bumpless Build Cube 3D nevű megoldás a DRAM lapkákat TSV (through-silicon VIA – Vertical Interconnect Access) technológiával kapcsolja, méghozzá bumpless wafer-on-wafer eljárással, ami egyszerűsíti a gyártási folyamatot, illetve javítja a hőelvezetést.

[+]

A BBCube 3D további előnye, hogy a viszonylag rövid TSV-k-et használ, aminek hála a HBM2E-nél nagyjából négyszer nagyobb sebességet képes elérni.

Az egyelőre nehezen látható, hogy a BBCube 3D-ből mikor lehet tömeges szinten is gyártható termék, illetve a potenciális szabványosítás kapcsán is sok még a megválaszolatlan kérdés.